IEGT
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IEGT
IEGTはInjection Enhanced Gate Transistor（電子注入促進型絶縁ゲートトランジスター）の略でIGBT*のエミッターの素子構造を工夫し、高耐圧化に伴う急激なオン電圧の増大を改善した素子です。電圧駆動で大電流を制御できるパワーデバイスです。 * IGBT： Insulated Gate Bipolar Transistor（絶縁ゲート型バイポーラートランジスター)
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)やIEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)は、MOSFETの様にゲート・エミッター間電圧を制御することで、コレクタ・エミッタ間をON/OFFできるスイッチング素子です。東芝のIGBTやIEGTは、白物家電から、産業インフラ機器まで幅広い応用分野で使用されています。
