SiCパワーデバイス
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SiCパワーデバイス
SiCパワーデバイスは、高い耐熱性と電気伝導性を持つシリコンカーバイド素材を用いた電力制御デバイスです。 従来のシリコンよりも優れた物性を有し、高い耐熱・高電圧・高周波特性を持つため、効率的で小型の電力変換装置やインバータなどに適しています。
SiCパワーデバイスについて詳しく知る
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GalaxyのSiCパワーデバイスは、第3世代半導体材料であるSiCを材料としたワイドバンドギャップデバイスであり、高耐圧、低オン抵抗を備えています。
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シリコンカーバイド(SiC)はシリコン(Si)と比べて、絶縁破壊電界強度、飽和電子速度、熱伝導度などが高い半導体材料です。そのため、半導体デバイスへ適用した場合、Siデバイスと比較して高耐圧特性、高速スイッチングや低オン抵抗特性の実現が可能です。これにより、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献できる次世代の低損失デバイスとして期待されています。
