SiC MOSFET
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SiC MOSFET
SiC（シリコンカーバイド）を使用したパワーMOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）です。Si製のIGBTやMOSFETと比べて、低導通損失や高温環境下での動作に優れています。また、高速スイッチングによる機器の低損失化にも貢献します。
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高速スイッチング低オン抵抗特性を有しており、高出力・高効率産業電源、太陽光インバーター、UPSの低損失化に最適な新材料SiC （シリコンカーバイド）を使用したMOSFETです。
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ロームの最新の第4世代SiC MOSFETでは、短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現しました。
他にも低スイッチング損失、ゲート－ソース間電圧15V対応といった特長を持ち、機器の省電力化にさらに貢献します。
