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実装面積削減に貢献するインテリジェントパワーデバイスの発売について ～8チャネルの小型ハイサイド/ローサイドスイッチ～

東芝デバイス＆ストレージ株式会社

2023年2月7日

東芝デバイス＆ストレージ株式会社

これは、実装面積削減に貢献するインテリジェントパワーデバイスの発売についての画像です。

当社は、産業用機器のプログラマブルロジックコントローラーなどで使用される、モーター、ソレノイド、ランプなどの誘導性負荷の駆動を制御するインテリジェントパワーデバイス2品種を製品化しました。8チャネルハイサイドスイッチ「TPD2015FN」、および8チャネルローサイドスイッチ「TPD2017FN」の出荷を本日から開始します。

新製品TPD2015FNとTPD2017FNは、当社アナログ素子混載プロセス （BiCD）[注1]を採用し、出力段のオン抵抗を標準0.4Ωと当社の従来製品[注２]に比べて1/2以下へ低減しました。パッケージは、当社の従来製品[注２]のSSOP24パッケージ[注３]と比べて実装面積を約71%に削減、高さを約80%に低減し、ピン間ピッチを0.65mmに短縮した小型SSOP30パッケージ[注４]に搭載しました。これにより、機器の低損失と小型化に貢献します。

また、最大動作温度については従来製品[注２]が85℃に対し新製品が110℃と高いため、より高温度状況での使用に適しています。さらに、両製品とも過電流保護回路と過熱保護回路を内蔵しており、機器の信頼性向上に貢献します。

[注１] Bipolar CMOS DMOS
[注２] 当社従来製品：TPD2005F / TPD2007F
[注３] SSOP24パッケージ : 13.0×8.0×1.5mm (typ.)
[注４] SSOP30パッケージ : 9.7×7.6×1.2mm (typ.)

応用機器

  • 産業用プログラマブルロジックコントローラー（PLC）
  • NC工作機械
  • インバーター・サーボ
  • IO-Link制御機器

新製品の主な特長

  • NチャネルMOSFET（8チャネル）と制御回路を組み込んだモノリシックパワーIC
    （ハイサイドスイッチTPD2015FNはチャージポンプ内蔵）
  • SSOP24パッケージと比較して実装面積を約71%に削減したSSOP30パッケージを採用
  • 高い動作温度定格：Topr (max) =110°C
  • 保護機能を内蔵（過熱、過電流）
  • 低オン抵抗 : RDS(ON)=0.4Ω (typ.) @VIN=5V、Tj=25°C、IOUT=0.5A

新製品の主な仕様

（特に指定しない限り、Ta=25°C）

品番 TPD2015FN TPD2017FN
パッケージ SSOP30
絶対最大定格 電源電圧 VDD (V) －0.3～40.0 －0.3～6.0
入力電圧 VIN (V) －0.3～6.0
VDDx - OUTx 間耐圧 VDSS (V) 50.0 -
出力電圧 VOUT (V) - 50.0
出力電流 IOUT (A) 内部制限
許容損失 PD (W) 1.8
動作温度 Topr (°C) －40～110
接合部温度 Tj (°C) 150
保存温度 Tstg (°C) －55～150
動作範囲 動作電源電圧 VDD(opr) (V) @Tj=25°C 8～40 2.7～5.5
電気的特性 オン抵抗 RDS(ON) typ. (Ω) @VDD=12V (TPD2015FN)
/ 5V (TPD2017FN)、
VIN=5V、
IOUT=0.5A、
Tj=25°C		 0.40
出力数 8
保護機能 過熱保護
過電流保護

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。

TPD2015FN
TPD2017FN

TPD2017FNの応用例については下記アプリケーションノートをご覧ください。

TPD2017FN アプリケーションノート

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　　パワーデバイス営業推進部

　　Tel: 044-548-2216

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この情報は、東芝デバイス＆ストレージ株式会社のホームページに基づいて掲載しており、最新の情報は下記URLからご確認ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/company/news/news-topics/2023/02/intelligent-power-ics-20230207-1.html

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