ローム株式会社
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業界トップクラス※の低オン抵抗でアプリケーションの高効率動作に貢献する Nch MOSFET開発 産業機器用電源や各種モーター駆動に最適な40V~150V耐圧の13製品をラインアップ

ローム株式会社

※2023年4月13日現在ローム調べ

2023年4月13日

<要旨>

Package

ローム株式会社(本社:京都市)は、基地局・サーバー用電源や、産業機器・民生機器用モーターなど、24V/36V/48V系統の電源で動作するアプリケーションの駆動に最適な、Nch MOSFET*1RS6xxxxBx / RH6xxxxBxシリーズ」13製品(40V/60V/80V/100V/150V)を開発しました。
新製品は、プロセスの微細化による素子性能の向上に加えて、抵抗の低い銅クリップ接続のHSOP8/HSMT8パッケージを採用したことにより、従来品より約50%低い業界トップクラスのオン抵抗(Ron)*2 2.1mΩを達成しています。また、ゲート構造の改善により、一般的にオン抵抗とトレードオフの関係になるQgd*3(ゲート・ドレイン間電荷量)も従来品比で約40%低減(Ron・Qgdともに、HSOP8パッケージ、60V耐圧品のTyp.値で比較)。これにより、スイッチング損失及び導通損失を低減できるため、各アプリケーションの高効率動作に大きく貢献します。高効率動作の一例として、産業機器向け電源評価基板で電源効率を比較した場合、定常動作時の出力電流範囲において、新製品は業界トップクラスの電源効率(ピーク時約95%)を達成しています。
新製品は、2023年1月より当面月産100万個の体制で量産(サンプル価格500円/個:税抜)を開始しています。
今後もロームは、さらに低オン抵抗のMOSFETを開発中であり、各種機器の低消費電力化に寄与することで、省エネ化による環境保護などの社会課題解決に貢献していきます。

<背景>

近年、世界的に電力消費量が増大し、電力の有効活用を迫られる中、基地局、サーバーなどの産業機器や、各種モーターにおいても、高効率化が進んでいます。そして、これらのアプリケーションにおいて、中耐圧のMOSFETは、さまざまな回路で使用されており、メーカーから低損失化が求められています。一方、MOSFETの電力損失に繋がる主要なパラメータとしては、オン抵抗とQgdの2つがありますが、一般的なMOSFETでは、チップサイズに対して、オン抵抗は反比例して小さく、Qgdは比例して大きくなるため、両立が困難です。これに対してロームは、プロセスの微細化と銅クリップ接続の採用、ゲート構造の改善により、両者のトレードオフを改善しました。

新製品「RS6xxxxBx/RH6xxxxBxシリーズ」と従来品のMOSFET性能比較
産業機器向け電源評価基板での効率比較

<製品ラインアップ>

品番 データ
シート
VDSS
[V]
ID[A]
TC=25℃
RDS(on)[mΩ] Qg[nC] Qgd
[nC]
パッケージ名
[mm]
VGS=10V VGS=10V VGS=6V VGS=4.5V
Typ. Max. Typ. Typ. Typ. Typ.
NewRS6G120BG PDF 40 120 1.03 1.34 67 - 34 12 HSOP8
HSOP8
(5.0×6.0×1.0)
NewRS6G100BG PDF 100 2.6 3.4 24 - 11.8 4.3
NewRS6L120BG PDF 60 120 2.1 2.7 51 - 25 7.3
NewRS6L090BG PDF 90 3.6 4.7 28 - 14 4.1
NewRS6N120BH PDF 80 120 2.8 3.3 53 33 - 10.1
NewRS6P100BH PDF 100 100 4.5 5.9 45 29 - 11.7
NewRS6P060BH PDF 60 8.2 10.6 25 16.2 - 6.3
NewRS6R060BH PDF 150 16.7 21.8 46 30 - 12
NewRS6R035BH PDF 35 32 41 25 16.2 - 6.4
NewRH6G040BG PDF 40 40 2.8 3.6 25 - 11.8 4.5 HSMT8
HSMT8
(3.3×3.3×0.8)
NewRH6L040BG PDF 60 5.5 7.1 18.8 - 9.2 2.7
NewRH6P040BH PDF 100 12 15.6 16.7 10.9 - 4.4
NewRH6R025BH PDF 150 25 46 59 16.7 11 - 4.4

<アプリケーション例>

  • ◇通信基地局やサーバー用電源
  • ◇産業用・民生用モーター

その他、幅広い機器の電源回路やモータドライブに採用可能です。

<用語説明>

*1) Nch MOSFET
ソースに対してプラスの電圧をゲートに印加すると導通状態になるタイプのMOSFET。
Pch MOSFETよりもオン抵抗が小さく、幅広い回路で使い勝手が良いため、現在市場ではNch MOSFETの方が流通している。
*2) オン抵抗(Ron)
MOSFETオン時のドレイン・ソース間の抵抗値のこと。値が小さいほど導通時の電力損失が少なくなる。
*3) Qgd(ゲート・ドレイン間電荷量)
MOSFETがオンしはじめた後、ゲート・ドレイン間の容量を充電する期間の電荷量。値が小さいほど高速スイッチングが可能になり、スイッチング時のロス(電力の損失)が少なくなる。

<製品動画>

<新製品プレゼン"Featured Products">

Featured Products
基地局・サーバー用電源や産業・民生用モータ駆動に最適
低オン抵抗 Nch Power MOSFET (Cuクリップタイプ)
RS6xxxxシリーズ/RH6xxxxシリーズ(PDF:1.3MB)



半導体・電子部品に関するお問い合わせ:

  TEL:052-332-2500

この情報は、ローム株式会社のホームページに基づいて掲載しており、最新の情報は下記URLからご確認ください。
https://www.rohm.co.jp/news-detail?news-title=2023-04-13_news_mosfet&defaultGroupId=false