今月の東芝セミコンかわら版では、「次世代電源の高効率化」と「モーター制御の最適化」がテーマです。

AIデータセンター向けSiC MOSFETによる電力損失低減、フォトカプラーを活用した絶縁設計の簡素化、ステッピングモータードライバーによる低振動・低消費電力化など、システム全体の性能向上に貢献する最新デバイスが紹介されています。

1200V トレンチゲート型SiC MOSFET「TW007D120E」

次世代AIデータセンター向け電源に適した1200V耐圧トレンチゲート型SiC MOSFET
独自構造により低オン抵抗と低スイッチング損失を両立し、高効率化と発熱低減に貢献します。
高放熱QDPAKパッケージ採用により、高電力密度化にも対応します。

フォトボルタイック出力フォトカプラー「TLX9909」

絶縁側電源が不要なフォトボルタイック出力タイプのフォトカプラー
外付け回路によりターンオフ時間を自由に調整できるほか、13.5V以上の高い開放電圧により高耐圧MOSFETの駆動にも対応します。部品点数削減と高信頼性設計に貢献します。

50V/5.0A ステッピングモータードライバー「TB67S129FTG」

プリンターやスキャナー、監視カメラなどの産業機器向けステッピングモータードライバー
外付け部品削減による設計簡素化に加え、Advanced Micro-stepping Technologyを搭載し、低振動・低騒音・低消費電力を実現します。

• AIデータセンター向け電源や高効率電力変換回路を設計している方
• SiCパワーデバイスの採用を検討している方
• 車載機器や高耐圧MOSFET駆動回路の開発に携わる方
• モーター制御システムの低振動化・低消費電力化を検討している方
• 産業機器・FA機器向け最新半導体情報を収集している方