東芝デバイス＆ストレージ株式会社
＜新製品ニュース＞

産業用機器の高効率化・小型化に貢献する3300 V耐圧SiC MOSFETモジュールのラインアップ拡充

東芝デバイス＆ストレージ株式会社

製品情報 2023-12

これは、産業用機器の高効率化・小型化に貢献する3300 V耐圧SiC MOSFETモジュールのラインアップ拡充の製品写真です。

当社は、産業用機器向けに第3世代のシリコンカーバイド (SiC) MOSFETチップとSBDチップを搭載した3300 V耐圧、ドレイン電流 (DC) 定格 800 A のChopper SiC MOSFETモジュール「MG800FXF1ZMS3[注1]、MG800FXF1JMS3[注2]」を製品化し、ラインアップを拡充しました。

新製品MG800FXF1ZMS3およびMG800FZF1JMS3は、Ag焼結接合技術を適用した取り付け互換性の高いiXPLV[注3]パッケージを採用しました。ドレイン・ソース間オン電圧 (センス端子) を1.3 V (typ.)[注4]に下げることで、低導通損失を実現しました。また、ターンオンスイッチング損失を230 mJ (typ.)[注5]、ターンオフスイッチング損失を230 mJ (typ.)[注5]に低減し、低スイッチング損失を実現しました。これにより、機器の損失低減と冷却装置の小型化に貢献します。
iXPLV[注3]パッケージの当社SiC MOSFETモジュールは、既存製品MG800FXF2YMS3 (3300 V耐圧/800 A/Dual SiC MOSFETモジュール) を含めた3製品のラインアップとなります。これにより、製品選択の幅が広がり、2レベルインバーターをはじめとして、降圧/昇圧チョッパー回路や3レベルインバーターにも使用できます。

当社は、産業用機器の高効率化、小型化のニーズに対応していきます。

[注1] High-side: SiC MOSFET、Low-side: SiC SBD
[注2] High-side: SiC SBD、Low-side: SiC MOSFET
[注3] iXPLV: intelligent fleXible Package Low Voltage
[注4] 測定条件: ID=800 A、VGS=+20 V、Tch=25 °C
[注5] 測定条件: VDD=1800 V、ID=800 A、Tch=175 °C

応用機器

産業用機器

  • 鉄道車両向けインバーター・コンバーター
  • 再生可能エネルギー発電システム
  • 産業用モーター制御機器など

新製品の主な特長

  • ドレイン・ソース間オン電圧 (センス端子) が低い :
    VDS(on)sense=1.3 V (typ.) (ID=800 A、VGS=+20 V、Tch=25 °C)
  • ターンオンスイッチング損失が低い :
    Eon=230 mJ (typ.) (VDD=1800 V、ID=800 A、Tch=175 °C)
  • ターンオフスイッチング損失が低い :
    Eoff=230 mJ (typ.) (VDD=1800 V、ID=800 A、Tch=175 °C)

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Tc=25 °C)

品番

MG800FXF1ZMS3

MG800FXF1JMS3
当社パッケージ名称 iXPLV
絶対最大
定格		 ドレイン・ソース間電圧  VDSS  (V) 3300
ゲート・ソース間電圧  VGSS  (V) +25/－10
ドレイン電流 (DC)  ID  (A) 800
ドレイン電流 (パルス)  IDP  (A) 1600
チャネル温度  Tch  (°C) 175
絶縁耐圧  Visol  (Vrms) 6000
電気的特性 ドレイン・ソース間オン電圧 (センス端子)
VDS(on)sense  (V)		 ID=800 A、VGS=+20 V、
Tch＝25 °C		 Typ. 1.3
ソース・ドレイン間オン電圧 (センス端子)
VSD(on)sense  (V)		 IS=800 A、VGS=+20 V、
Tch＝25 °C		 Typ. 1.3
ソース・ドレイン間オフ電圧 (センス端子)
VSD(off)sense  (V)		 IS=800 A、VGS=－6 V、
Tch＝25 °C		 Typ. 2.1
ターンオンスイッチング損失
Eon  (mJ)		 VDD=1800 V、ID=800 A、
Tch=175 °C		 Typ. 230
ターンオフスイッチング損失
Eoff  (mJ)		 Typ. 230

内部回路構成図

これは、MG800FXF1ZMS3の内部回路構成図です。
これは、MG800FXF1JMS3の内部回路構成図です。

応用回路例

これは、3レベル三相インバーターの応用回路例です。

注 : この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

* 社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
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.https://toshiba.semicon-storage.com/jp/company/news/new-products-share/transistor/mosfet-20231206-1d.html

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