ローム株式会社（本社：京都市）は、高効率で小型のAC-DC電源の実現に貢献するTotem Pole PFC^*1（以下、TP-PFC）コントローラIC「BM85060FV」を開発しました。特長として、GaN HEMT^*2の高周波スイッチングに対応するMHz帯での動作が可能です。

新製品は、ACアダプタやプロジェクターなどの民生機器、小型産業機器に用いられる300～500WクラスのAC-DC電源において、システムレベルで99％の変換効率が実現可能です。これにより、電力損失や発熱を抑制できるほか、スイッチング周波数の高周波化によって周辺部品の小型化が可能となり、電源回路の省スペース化にも貢献します。

また、無負荷時消費電流150μAを実現し、一般品と比べて70％^※低減しました。これにより、システムの待機電力削減が容易となり、DoE Level7^*3やCoC Tier2^*4の省エネルギー要求を満たす電源システムの構築に貢献します。

さらに、雷サージ対策回路をはじめ、AC-DC電源に求められる各種保護機能を内蔵しており、設計負担の軽減やシステム信頼性の向上にも寄与します。

新製品は2026年10月より販売を開始しています（サンプル価格670円/個：税抜）。また、「BM85060FV」を搭載した330W出力のTP-PFC評価ボードも用意しており、GaN HEMTを採用した高効率AC-DC電源の開発をサポートします。

ロームは今後も、GaN HEMTをはじめとするパワー半導体と、それらの性能を最大限に引き出すアナログICを組み合わせたパワーソリューションを提供することで、電子機器のさらなる小型化・省電力化に貢献していきます。

※2026年10月27日現在 ローム調べ

＜背景＞

近年、ACアダプタや民生機器、小型産業機器では、高機能化に伴って必要な電力が増える一方、機器の小型化や省エネルギー化への要求が高まっています。
加えて、エネルギー効率規制の強化を背景に、動作時の変換効率向上と無負荷時の消費電力低減の両立も求められています。
こうした状況の中、従来のSi（シリコン）パワー半導体に比べて高周波スイッチングが可能なGaN HEMTの採用が拡大しています。
また、GaN HEMTとTP-PFC回路を組み合わせた電源は、電力損失を大幅に低減できることから、高効率・小型化が求められる機器向け電源の有力なソリューションとして期待されています。
一方、従来のTP-PFC制御ではMCUが広く用いられてきましたが、小型電源機器では消費電力や回路規模、コスト面に加え、GaN HEMTの高周波スイッチングを実現するための制御も課題となっていました。
ロームは、こうした課題に対し、GaN HEMTを採用したTP-PFC回路を低消費電力で制御するとともに、MHz帯の高周波スイッチングを可能にする専用コントローラIC「BM85060FV」を開発しました。

＜アプリケーション例＞

・ACアダプタ
・プロジェクターなどの民生機器
・小型産業機器
など、主に300～500Wクラスの高効率・小型AC-DC電源に最適です。

＜用語説明＞

*1）Totem Pole PFC（TP-PFC）

AC-DC電源において、入力電源から供給される電力を高効率に利用するためのPFC（Power Factor Correction：力率改善）回路方式の一つ。従来のPFC回路で用いられるダイオードブリッジをスイッチ素子に置き換える構成により、導通損失の低減が可能。

*2）GaN HEMT

GaN（ガリウムナイトライド：窒化ガリウム）とは、次世代パワーデバイスに用いられる化合物半導体材料のこと。
一般的な半導体材料であるSi（シリコン）に対して物性に優れ、スイッチング速度が速く、高周波数で動作します。
HEMTとは、High Electron Mobility Transistor（高電子移動度トランジスタ）の各単語の頭文字を取った略称。

*3）DoE Level7

電子機器用外部電源を対象とした米国DoE（Department of Energy）のエネルギー効率要求。動作時の電力変換効率と無負荷時の消費電力に対して厳しい基準を定め、高い省エネルギー性能を求める。

*4）CoC Tier2

電子機器用外部電源を対象とした欧州委員会CoC（Code of Conduct）のエネルギー効率要求。動作時の電力変換効率と無負荷時の消費電力に対して厳しい基準を定め、高い省エネルギー性能を求める。