東芝デバイス＆ストレージ株式会社
＜新製品ニュース＞
東芝デバイス＆ストレージ PCIe®6.0やUSB4® Version 2.0などの高速差動信号に対応した2:1マルチプレクサー/1:2デマルチプレクサースイッチの発売について ～産業用途に適した125°C対応製品～
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
PCIe®6.0やUSB4® Version 2.0などの高速差動信号に対応した2:1マルチプレクサー/1:2デマルチプレクサースイッチの発売について
2026年5月7日
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
当社は、PCIe® 6.0[注1]やUSB4® Version 2.0[注2]などの次世代高速インターフェースに対応した、2:1マルチプレクサー (Mux) / 1:2デマルチプレクサー (De-Mux）スイッチ「TDS5C212MX」および「TDS5B212MX」 を製品化しました。本製品は、本日より出荷を開始します。
近年、サーバーや産業用テスター、ロボット、PCなどでは、PCIe® 6.0やUSB4® Version 2.0に代表される超高速・広帯域な差動信号を、限られた基板スペースの中で高信頼に切り替えるニーズが高まっています。新製品は、こうしたニーズに応えるため、当社独自のSOIプロセス (TarfSOI™) [注3]を採用することで、TDS5C212MXでは業界トップクラス[注4]となる-3dBバンド幅 (差動) 34GHz (typ.) 、TDS5B212MXでは29GHz (typ.) を実現し、高速通信時の信号波形の歪みを大幅に抑制し、高速通信時の信頼性向上に貢献します。
これらの特長により、PCIe® 6.0やUSB4® Version 2.0などの高速差動信号用途で、2入力1出力のMuxスイッチ、または1入力2出力のDe-Muxスイッチとして使用できます。1つの高速インターフェースを複数の機器で共有したり、用途に応じて信号経路を切り替えたりすることが可能です。
さらに、TDS5C212MXおよびTDS5B212MXは、高周波特性に適した端子配置を採用しています。特にTDS5C212MXでは、信号経路を最短化することで反射や損失を抑え、高速信号の品質向上を図っています。また、動作温度範囲は-40°Cから125°Cまで対応しており、産業用途にも使用可能です。
当社は今後も、高速インターフェースの進化に対応した高性能・高信頼性のアナログスイッチ製品の開発を通じて、次世代システムの実現に貢献していきます。
[注1] PCI-SIGが策定する次世代インターフェース規格。PCIe® 5.0と比較して転送速度を2倍の64 GT/sに向上。
[注2] USB‑IFが策定するインターフェース規格で、最大80 Gbpsの高速データ転送に対応。
[注3] TarfSOI™ (Toshiba advanced RF SOI): 当社が高周波半導体用に独自に開発したSOI-CMOS (Silicon On Insulator-Complementary Metal Oxide Semiconductor) フロントエンドプロセス。
[注4] 2:1 Mux / 1:2 De-Muxスイッチとして。2026年5月時点、当社調べ。
応用機器
- 産業用テスター、ロボット
- PC、サーバー、モバイル機器、ウエアラブル端末など
対応インターフェース:
- PCIe® 系列: PCIe 6.0 / 5.0 / 4.0 / 3.0
- CXL 系列: CXL 3.0 / 2.0 / 1.0
- USB 系列: USB4® Version 2.0 / USB4® / USB3.2 Gen2×1 / Gen1×1
- Thunderbolt™ 系列: Thunderbolt 5 / 4 / 3 / 2
- DisplayPort™ 系列: DisplayPort 2.0 / 1.4 / 1.3 / 1.2
新製品の主な特長
- PCIe® 6.0やUSB4® Version 2.0などの高速差動信号に対応した高い-3dB バンド幅 (差動)
TDS5C212MX: -3dB バンド幅 (差動) =34GHz (typ.)
TDS5B212MX: -3dB バンド幅 (差動) =29GHz (typ.) - 動作温度範囲: -40～125°C
新製品の主な仕様
| 品番 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| パッケージ | 名称 | XQFN16 | ||||
| サイズ (mm) | 2.4×1.6 (typ.)、t=0.4 (max) | |||||
|
動作範囲 (Ta=-40～125°C) |
電源電圧 VCC (V) | 1.6～3.6 | ||||
| 差動信号電圧 (peak to peak) VI/O(Diff) (V) | 0～1.8 | |||||
| コモン信号電圧 VI/O(Com) (V) | 0～2.0 | |||||
|
DC特性 (Ta=-40～125°C) |
消費電流 Iope (μA) | VS = 0V | Typ. | 70 | ||
|
高周波特性 (Ta=25°C) |
-3dB バンド幅 (差動) BW(Diff) (GHz) | Typ. | 34 | 29 | ||
|
差動挿入損失 DDIL (dB) |
f=5.0GHz | Typ. | -0.7 | -0.7 | ||
| f=8.0GHz | -0.8 | -0.8 | ||||
| f=10.0GHz | -0.9 | -0.9 | ||||
| f=12.8GHz | -1.1 | -1.1 | ||||
| f=16.0GHz | -1.2 | -1.2 | ||||
|
差動反射損失 DDRL (dB) |
f=5.0GHz | Typ. | -21 | -20 | ||
| f=8.0GHz | -24 | -20 | ||||
| f=10.0GHz | -21 | -19 | ||||
| f=12.8GHz | -20 | -20 | ||||
| f=16.0GHz | -14 | -15 | ||||
|
差動オフ・アイソレーション DDOIRR (dB) |
f=5.0GHz | Typ. | -33 | -36 | ||
| f=8.0GHz | -27 | -29 | ||||
| f=10.0GHz | -25 | -26 | ||||
| f=12.8GHz | -24 | -26 | ||||
| f=16.0GHz | -24 | -27 | ||||
|
差動クロストーク DDXT (dB) |
f=5.0GHz | Typ. | -41 | -41 | ||
| f=8.0GHz | -37 | -37 | ||||
| f=10.0GHz | -35 | -35 | ||||
| f=12.8GHz | -33 | -33 | ||||
| f=16.0GHz | -31 | -31 | ||||
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